Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3307PBF, 75 В, 130 А, TO220AB (набор 10 шт.)
2 660 ₴
- В наличии
- Код: TM203468
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3307PBF, 75 В, 130 А, TO220AB (набор 10 шт.)В наличии
2 660 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3307PBF — это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе TO220AB. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 75 В и ток стока 130 А. В комплекте поставляется 10 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 В
- Максимально допустимый ток стока: 130 А
- Максимальная мощность рассеивания: 250 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 6,3 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж выводной
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 75 В и напряжением затвор-исток 20 В. Максимальный ток стока составляет 130 А, а мощность рассеивания — 250 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 6,3 мОм.
Конструкция и монтаж
Компонент изготовлен по технологии HEXFET® в корпусе TO220AB. Тип монтажа — выводной (THT). Транзистор является однополярным (unipolarny) с каналом обогащения (wzbogacany).
Комплектация
В наборе содержится 10 транзисторов IRFB3307PBF.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 250 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 75 В |
| Максимально допустимый ток стока | 130 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 6.3 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 660 ₴