Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3006PBF, 60В, 270А, TO220AB, набор 10 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3006PBF — это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе TO220AB. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 270 А. В комплект поставки входит 10 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 270 А
• Максимальная мощность рассеивания: 375 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 2,5 мОм
• Корпус: TO220AB, монтаж выводной
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и напряжение затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока составляет 270 А, а мощность рассеивания — 375 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 2,5 мОм.

Конструкция и монтаж

Компонент изготовлен по технологии HEXFET® в корпусе TO220AB. Тип монтажа — выводной. Поляризация транзистора — униполярная, канал — обогащенный.

Комплектация

В наборе содержится 10 транзисторов IRFB3006PBF.