Транзистор P-MOSFET Infineon Technologies IRF9Z34NPBF, -55 В, -19 А, 68 Вт, TO220AB (набор 30 шт.)
2 560 ₴
- В наличии
- Код: TM203464
Транзистор P-MOSFET Infineon Technologies IRF9Z34NPBF, -55 В, -19 А, 68 Вт, TO220AB (набор 30 шт.)В наличии
2 560 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Полевой транзистор Infineon Technologies IRF9Z34NPBF с каналом P-типа (P-MOSFET): напряжение сток-исток -55 В, ток стока -19 А, максимальная мощность рассеивания 68 Вт. В наборе 30 шт.
- Напряжение сток-исток: -55 В
- Ток стока: -19 А
- Максимальная мощность рассеивания: 68 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 100 мОм
- Корпус: TO220AB
- Количество в наборе: 30 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 100 мОм. Заряд затвора — 23,3 нКл.
Конструкция и монтаж
Корпус — TO220AB, тип монтажа — выводной. Технология — HEXFET®. Тип канала — обогащенный (режим обогащения), полярность — униполярный транзистор.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 68 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 100 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 560 ₴