Транзистор N-MOSFET Vishay IRF820ASPBF, 500 В, 2,5 А, D2PAK (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay IRF820ASPBF — это полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электрических цепях с напряжением до 500 В. Модель выполнена в корпусе D2PAK (TO263) для поверхностного монтажа и имеет максимальную мощность рассеивания 50 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 В
• Ток стока: 2,5 А (импульсный до 10 А)
• Мощность рассеивания: 50 Вт
• Корпус: D2PAK (TO263), поверхностный монтаж
• Набор: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 500 В и током стока 2,5 А. В импульсном режиме допустимый ток может достигать 10 А. Напряжение затвор-исток ограничено значением 30 В, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 3000 мОм.

Конструкция и монтаж

Компонент изготовлен в корпусе D2PAK (TO263). Тип монтажа — поверхностный. Транзистор является униполярным с каналом обогащения.

Комплектация и дополнительные параметры

Товар поставляется набором из 10 транзисторов. Заряд затвора составляет 17 нКл.