Транзистор P-MOSFET Infineon IRF7205TRPBF, SO8, 30 шт.
2 610 ₴
- В наличии
- Код: TM203448
Транзистор P-MOSFET Infineon IRF7205TRPBF, SO8, 30 шт.В наличии
2 610 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IRF7205TRPBF. Это полевой транзистор с каналом обогащения, с поверхностным типом монтажа в корпусе SO8. В комплекте поставляется 30 единиц.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Корпус: SO8, поверхностный монтаж
- Максимальная мощность рассеивания: 2,5 Вт
- Количество в комплекте: 30 шт.
- Технология: HEXFET®
- Канал: обогащения (unipolarny)
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальную мощность рассеивания 2,5 Вт. Согласно данным производителя, устройство является униполярным с каналом обогащения (P-MOSFET). Эти характеристики определяют рабочий режим компонента в электрических схемах.
Конструкция и монтаж
Компонент изготовлен в корпусе SO8, что предполагает поверхностный тип монтажа (SMD). Технология изготовления: HEXFET®.
Комплектация
В наборе содержится 30 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.5 Вт |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 610 ₴