Транзистор N-MOSFET Vishay IRF640PBF, 200 В, 11 А, TO220AB (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay IRF640PBF — полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе TO220AB. Максимальное напряжение сток-исток составляет 200 В, а ток стока — 11 А.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 В
• Максимально допустимый ток стока: 11 А
• Максимальная мощность рассеивания: 125 Вт
• Корпус: TO220AB, выводной монтаж
• Сопротивление в открытом состоянии: 180 мОм

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 200 В и напряжение затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока равен 11 А, а импульсный ток может достигать 72 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 180 мОм, что определяет потери при пропускании тока.

Мощность и монтаж

Максимальная мощность рассеивания транзистора — 125 Вт. Прибор выполнен в корпусе TO220AB с выводным типом монтажа. Заряд затвора составляет 70 нКл. Транзистор является униполярным.