Транзистор N-MOSFET Infineon IRF640NPBF, 200 В, 18 А, TO220AB, набор 20 шт.
3 050 ₴
- В наличии
- Код: TM203446
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF640NPBF, 200 В, 18 А, TO220AB, набор 20 шт.В наличии
3 050 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 20 полевых транзисторов N-MOSFET Infineon IRF640NPBF в корпусе TO220AB. Предназначены для монтажа в отверстия (выводной тип).
- Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 В
- Максимально допустимый ток стока: 18 А
- Максимальная мощность рассеивания: 150 Вт
- Корпус: TO220AB, выводной монтаж
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзисторы имеют максимальное напряжение сток-исток 200 В и максимально допустимый ток стока 18 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 150 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 150 мОм.
Конструкция и монтаж
Компоненты изготовлены по технологии HEXFET® в корпусе TO220AB. Тип монтажа — выводной (THT), что предполагает пайку выводов в отверстия печатной платы.
Комплектация и идентификация
В наборе 20 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 150 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 18 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 150 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 3 050 ₴