Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics IRF630, 200 В, 5.7 А, TO220-3 — набор 20 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics IRF630 — это полевой транзистор с каналом обогащения, однополярный (unipolarny) в корпусе TO220-3. Модель изготовлена по технологии MESH OVERLAY™ II в версии ESD.

• Тип транзистора: Полевой (N-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 В
• Максимально допустимый ток стока: 5.7 А
• Корпус: TO220-3, штыревой монтаж
• Технология: MESH OVERLAY™ II
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 200 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный ток стока равен 5.7 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 400 mOm.

Конструкция и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе TO220-3 с штыревым типом монтажа. Максимальная мощность рассеивания — 75 Вт. Версия компонента обозначена как ESD.

Комплектация

В комплект поставки входит 20 шт. транзисторов.