Транзистор P-MOSFET Infineon Technologies IRF5305PBF, -55 В, -31 А, 110 Вт, TO220AB (набор 20 шт.)
2 710 ₴
- В наличии
- Код: TM203443
Транзистор P-MOSFET Infineon Technologies IRF5305PBF, -55 В, -31 А, 110 Вт, TO220AB (набор 20 шт.)В наличии
2 710 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET Infineon Technologies IRF5305PBF — полевой (униполярный) транзистор с P-каналом в корпусе TO220AB. Напряжение сток-исток составляет -55 В, ток стока -31 А, максимальная мощность рассеивания 110 Вт.
- Напряжение сток-исток: -55 В
- Ток стока: -31 А
- Максимальная мощность рассеивания: 110 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 60 мОм
- Заряд затвора: 42 нКл
- Корпус: TO220AB
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В. Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds) — 60 мОм. Заряд затвора — 42 нКл. Режим работы канала — обогащение.
Конструкция и монтаж
Монтаж — выводной (THT). Технология — HEXFET®.
Комплектация
В наборе 20 шт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 110 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 60 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 710 ₴