Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R041C6FKSA1, 600 В, 77,5 А, 481 Вт (PG-TO247-3) — набор 2 шт.

Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPW60R041C6FKSA1. Это полевой транзистор с каналом типа обогащения, рассчитанный на напряжение 600 В и ток 77,5 А. В комплекте поставляется 2 шт.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 77,5 А
• Максимальная мощность рассеивания: 481 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 41 мОм
• Корпус: PG-TO247-3
• Количество в комплекте: 2 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимально допустимое напряжение сток-исток 600 В и максимально допустимый ток стока 77,5 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 481 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 41 мОм, а максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе PG-TO247-3 с выводным типом монтажа. Используется технология CoolMOS™ C6. Транзистор является униполярным с каналом типа обогащения.

Комплектация

В наборе находится 2 транзистора.