Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R017C7XKSA1, 600 В, 109 А, TO247 (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPW60R017C7XKSA1. Это полевой транзистор с напряжением сток-исток 600 В и током стока 109 А в корпусе TO247. В комплекте поставляется 2 штуки.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 109 А
• Максимальная мощность рассеивания: 446 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 17 мОм
• Корпус: TO247, штыревой монтаж
• Количество в комплекте: 2 шт.

Электрические параметры и характеристики

Максимальное напряжение сток-исток составляет 600 В, что определяет рабочий диапазон устройства. Максимально допустимый ток стока равен 109 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 17 мОм.

Мощность и конструкция

Максимальная мощность рассеивания транзистора — 446 Вт. Устройство имеет штыревой тип монтажа и выполнено в корпусе TO247. Заряд затвора составляет 240 нКл, канал — обогащенный, полярность — униполярная.

Комплектация и идентификация

В наборе находится 2 транзистора. Символ производителя: IPW60R017C7XKSA1.