Транзистор N-MOSFET Infineon IPU95R750P7AKMA1, 950 В, 5,5 А, IPAK (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPU95R750P7AKMA1 — это полевой транзистор с каналом обогащения, выполненный в корпусе IPAK. Модель относится к технологии CoolMOS™ P7 и имеет защиту от электростатического разряда (ESD).

• Тип монтажа: выводной
• Напряжение сток-исток: 950 В
• Ток стока: 5,5 А
• Мощность рассеивания: 73 Вт
• Сопротивление открытого состояния: 750 мОм
• Корпус: IPAK
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 950 В, а ток стока — 5,5 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 750 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 73 Вт, а напряжение затвор-исток ограничено 20 В.

Конструкция и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе IPAK с выводным типом монтажа. Канал транзистора является обогащенным, а полярность — униполярной. Версия ESD обеспечивает защиту от электростатического разряда, а технология CoolMOS™ P7 определяет структуру прибора. Заряд затвора составляет 23 нКл. В комплект поставки входят 10 транзисторов.