Транзистор N-MOSFET Infineon IPU80R1K0CEBKMA1, 800 В, 5,7 А, IPAK (набор 50 шт.)

Транзистор N-MOSFET бренда Infineon Technologies, модель IPU80R1K0CEBKMA1. Это полевой транзистор с выводным монтажом в корпусе IPAK, который поставляется набором из 50 штук.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 В
• Максимально допустимый ток стока: 5,7 А
• Максимальная мощность рассеивания: 83 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 950 мОм
• Корпус: IPAK, выводной монтаж
• Технология: CoolMOS™ CE
• Количество в комплекте: 50 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 800 В и максимально допустимый ток стока 5,7 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 83 Вт, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 950 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено значением 20 В.

Конструкция и монтаж

Устройство имеет выводной тип монтажа и выполнено в корпусе IPAK. Применяемая технология производства — CoolMOS™ CE. Канал транзистора является обогащаемым, а полярность — униполярной.

Комплектация

В комплекте поставляется 50 транзисторов.