Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R299CPXKSA1, 600 В, 11 А, 96 Вт (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPP60R299CPXKSA1. Это полевой транзистор с технологией CoolMOS™ CP в корпусе PG-TO220-3, поставляемый набором из 20 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 11 А
• Максимальная мощность рассеивания: 96 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 299 мОм
• Корпус: PG-TO220-3
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 600 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный ток стока равен 11 А, а мощность рассеивания — 96 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 299 мОм.

Конструкция и монтаж

Используется технология CoolMOS™ CP. Корпус PG-TO220-3 обеспечивает штыревой тип монтажа. Канал транзистора является обогащенным, а полярность — униполярной.

Технология и корпус

В комплекте поставляется 20 транзисторов.