Транзистор N-MOSFET Infineon IPP200N25N3GXKSA1, 250 В, 64 А, 300 Вт, PG-TO220-3 (набор 5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPP200N25N3GXKSA1 — это полевой транзистор с каналом обогащения (enhancement mode) в корпусе PG-TO220-3. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 250 В, ток стока 64 А и мощность рассеивания 300 Вт. В комплект входит 5 единиц.

• Тип транзистора: N-MOSFET, полевой, канал обогащения
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 В
• Максимально допустимый ток стока: 64 А
• Максимальная мощность рассеивания: 300 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 20 мОм
• Корпус: PG-TO220-3, выводной монтаж
• Технология: OptiMOS™ 3
• Количество в комплекте: 5 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 250 В и напряжением затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока составляет 64 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 20 мОм. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 300 Вт.

Конструкция и монтаж

Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ 3 и имеет тип монтажа «выводной» (through-hole). Корпус PG-TO220-3. Транзистор является униполярным с каналом обогащения.

Комплектация и идентификация

В наборе содержится 5 транзисторов Infineon IPP200N25N3GXKSA1. Код производителя: IPP200N25N3GXKSA1.