Транзистор N-MOSFET Infineon IPP034NE7N3GXKSA1, 75В, 100А, 214Вт, PG-TO220-3 (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPP034NE7N3GXKSA1. Это полевой транзистор с каналом типа N (обогащенный) в корпусе PG-TO220-3 для монтажа в разрыв платы (выводной).

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 В
• Максимально допустимый ток стока: 100 А
• Максимальная мощность рассеивания: 214 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 3.4 мОм
• Корпус: PG-TO220-3, выводной монтаж
• Технология: OptiMOS™ 3
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Максимальное напряжение сток-исток составляет 75 В, а максимально допустимый ток стока — 100 А. Мощность рассеивания достигает 214 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 3.4 мОм, что характеризует проводимость канала при открытом затворе.

Конструкция и монтаж

Транзистор изготовлен по технологии OptiMOS™ 3. Корпус PG-TO220-3 предназначен для выводного монтажа (THT). Полярность транзистора — униполярная.

Комплектация и идентификация

В наборе поставляется 10 шт. транзисторов. Символ производителя для идентификации модели — IPP034NE7N3GXKSA1.