Транзистор N-MOSFET Infineon IPN80R4K5P7ATMA1, 800 В, 1 А, 6 Вт, PG-SOT223 (30 шт.)
2 690 ₴
- В наличии
- Код: TM203417
Транзистор N-MOSFET Infineon IPN80R4K5P7ATMA1 — это полевой транзистор с каналом обогащения, работающий при напряжении сток-исток до 800 В и токе стока 1 А. Устройство выполнено в корпусе PG-SOT223 с поверхностным монтажом и имеет максимальную мощность рассеивания 6 Вт.
- Напряжение сток-исток: 800 В
- Ток стока: 1 А
- Мощность рассеивания: 6 Вт
- Корпус: PG-SOT223
- Технология: CoolMOS™ P7
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор характеризуется максимально допустимым напряжением сток-исток 800 В и максимально допустимым током стока 1 А. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 4500 мОм. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 6 Вт.
Конструкция и монтаж
Компонент изготовлен по технологии CoolMOS™ P7 и имеет версию ESD. Корпус PG-SOT223 обеспечивает поверхностный монтаж на печатную плату. Тип транзистора — полевой, с каналом обогащения.
Комплектация
В комплект входит 30 шт. транзисторов.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 6 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4500 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | PG-SOT223 |
| Технология | CoolMOS™ P7 |
- Цена: 2 690 ₴