Транзистор N-MOSFET Infineon IPI90R800C3XKSA1, 900 В, 4,4 А, 104 Вт (набор 30 шт.)

Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPI90R800C3XKSA1. Это полевой транзистор с индуцированным каналом (enhancement mode) в корпусе PG-TO262-3, предназначенный для работы с напряжением до 900 В и током до 4,4 А. В комплекте поставляется 30 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой, с индуцированным каналом)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 В
• Максимально допустимый ток стока: 4,4 А
• Мощность рассеивания: 104 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 800 мОм
• Корпус: PG-TO262-3, монтаж выводной
• Технология: CoolMOS™
• Количество в комплекте: 30 шт.

Электрические параметры

Максимальное напряжение сток-исток (Vds) составляет 900 В, что определяет рабочий диапазон напряжения. Максимально допустимый ток стока (Id) равен 4,4 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 800 мОм.

Мощность и управление

Максимальная мощность рассеивания — 104 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) ограничено значением 20 В. Транзистор изготовлен по технологии CoolMOS™, что является характерной чертой силовых MOSFET-транзисторов Infineon.

Комплектация и монтаж

Тип монтажа — выводной (THT). Корпус PG-TO262-3 для монтажа на плату. В наборе 30 транзисторов.