Транзистор N-MOSFET Infineon IPI076N12N3GAKSA1, 120В, 100А, 168Вт, PG-TO262-3 (10 шт.)

Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPI076N12N3GAKSA1. Это полевой транзистор с выводным монтажом в корпусе PG-TO262-3, рассчитанный на максимальное напряжение сток-исток 120 В и ток стока 100 А.

• Тип транзистора: Полевой (N-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 В
• Максимально допустимый ток стока: 100 А
• Максимальная мощность рассеивания: 168 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 7.6 мОм
• Корпус: PG-TO262-3
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальную мощность рассеивания 168 Вт. Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 120 В, а затвор-исток — 20 В. Максимально допустимый ток стока равен 100 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 7.6 мОм.

Конструкция и монтаж

Изделие изготовлено по технологии OptiMOS™ 3. Тип монтажа — выводной. Корпус — PG-TO262-3. Канал транзистора — обогащенный (enhancement), полярность — униполярная.

Комплектация

В комплекте поставляется 10 шт. транзисторов (Symbol TME: IPI076N12N3GAKSA1).