Транзистор N-MOSFET Infineon IPD95R450P7ATMA1, 950 В, 8,6 А, DPAK (набор 10 шт.)
2 410 ₴
- В наличии
- Код: TM203414
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD95R450P7ATMA1, 950 В, 8,6 А, DPAK (набор 10 шт.)В наличии
2 410 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD95R450P7ATMA1 — полевой транзистор с технологией CoolMOS™ P7 в корпусе DPAK. Устройство рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 950 В и ток стока 8,6 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 950 В
- Максимально допустимый ток стока: 8,6 А
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 450 мОм
- Корпус: DPAK, поверхностный монтаж
- Технология: CoolMOS™ P7
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 950 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный ток стока равен 8,6 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 450 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 104 Вт.
Конструкция и монтаж
Транзистор выполнен в поверхностном монтаже (SMD) в корпусе DPAK. Канал транзистора — обогащенный (enhancement mode), полярность — униполярная. Заряд затвора составляет 35 нКл.
Комплектация и версия
В комплекте поставляется 10 транзисторов. Версия устройства: ESD.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 104 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 950 В |
| Максимально допустимый ток стока | 8.6 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 450 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | CoolMOS™ P7 |
Информация для заказа
- Цена: 2 410 ₴