Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R1K4P7ATMA1, 800 В, 2,7 А, 32 Вт, PG-TO252-3 (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPD80R1K4P7ATMA1. Это полевой транзистор с технологией CoolMOS™ в корпусе PG-TO252-3, предназначенный для поверхностного монтажа. В комплекте поставляется 20 единиц.

• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 В
• Максимально допустимый ток стока: 2,7 А
• Максимальная мощность рассеивания: 32 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 1400 мОм
• Корпус: PG-TO252-3, поверхностный монтаж
• Технология: CoolMOS™, версия ESD
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимально допустимое напряжение сток-исток 800 В и максимально допустимый ток стока 2,7 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 32 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 1400 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В.

Конструкция и монтаж

Изделие выполнено в корпусе PG-TO252-3 с типом монтажа «Поверхностный». Транзистор является униполярным (unipolarny) с каналом типа «wzbogacany» (обогащенный). Версия компонента обозначена как ESD. Используется технология CoolMOS™.

Комплектация и версия

В наборе содержится 20 транзисторов.