Транзистор N-MOSFET Infineon IPD60R280P7ATMA1, 600В, 8А, 53Вт, PG-TO252-3 (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPD60R280P7ATMA1 — это полевой транзистор с каналом типа n и технологией CoolMOS™ P7. В комплект поставки входит 10 единиц в корпусе PG-TO252-3.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
• Максимально допустимый ток стока: 8 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 280 мОм
• Корпус: PG-TO252-3, монтаж SMD
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток (Vds) составляет 600 В. Максимально допустимый ток стока (Id) равен 8 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 280 мОм. Максимальная мощность рассеивания (Pd) ограничена значением 53 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) — 20 В.

Конструкция и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе PG-TO252-3 с поверхностным типом монтажа (SMD). Канал транзистора является обогащаемым (enhancement mode). Версия: ESD.

Комплектация

В наборе содержится 10 шт. транзисторов. Заряд затвора составляет 18 нКл. Транзистор является униполярным.