Транзистор P-MOSFET Infineon IPD50P04P4L11ATMA2, -40В, -40А, 58Вт (набор 20 шт.)
2 960 ₴
- В наличии
- Код: TM203410
Транзистор P-MOSFET Infineon IPD50P04P4L11ATMA2, -40В, -40А, 58Вт (набор 20 шт.)В наличии
2 960 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPD50P04P4L11ATMA2. Это полевой транзистор с каналом обогащения, работающий при напряжении -40 В и токе -40 А. В комплекте поставляется 20 единиц.
- Тип транзистора: Полевой
- Максимальная мощность рассеивания: 58 Вт
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 5 В
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 10.6 мОм
- Тип монтажа: Поверхностный
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальную мощность рассеивания 58 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 5 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 10.6 мОм.
Конструкция и монтаж
Используется поверхностный тип монтажа. Корпус имеет обозначение PG-TO252-3-313. Применяется технология OptiMOS® -P2.
Комплектация
В наборе 20 шт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 58 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 5 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 10.6 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3-313 |
| Технология | OptiMOS® -P2 |
Информация для заказа
- Цена: 2 960 ₴