Транзистор N-MOSFET Infineon IPD50N06S4L12ATMA2, 60 В, 36 А, 50 Вт (набор 30 шт.)

Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPD50N06S4L12ATMA2. Это полевой транзистор с технологией OptiMOS™ T2 в корпусе PG-TO252-3 для поверхностного монтажа. Максимальное напряжение сток-исток составляет 60 В, а ток стока — 36 А.

• Тип транзистора: Полевой (N-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 36 А
• Максимальная мощность рассеивания: 50 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 12 мОм
• Количество в комплекте: 30 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 60 В и максимально допустимым напряжением затвор-исток 16 В. Максимальный ток стока составляет 36 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 12 мОм.

Мощность и конструкция

Максимальная мощность рассеивания транзистора составляет 50 Вт. Устройство изготовлено по технологии OptiMOS™ T2 и имеет канал типа обогащения. Поляризация транзистора — униполярная.

Комплектация и монтаж

В комплекте поставляется 30 шт. транзисторов. Корпус PG-TO252-3 предназначен для поверхностного монтажа. Заряд затвора составляет 30 нКл.