Транзистор P-MOSFET Infineon IPD068P03L3GATMA1, 100 Вт, PG-TO252-3, 20 шт.

Транзистор P-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPD068P03L3GATMA1. Это полевой транзистор с максимальным током -70 А и мощностью рассеивания 100 Вт в корпусе PG-TO252-3.

• Тип транзистора: Полевой (P-MOSFET)
• Максимальная мощность рассеивания: 100 Вт
• Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 11 мОм
• Корпус: PG-TO252-3
• Тип монтажа: Поверхностный
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальную мощность рассеивания 100 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 11 мОм.

Конструкция и монтаж

Изделие выполнено в корпусе PG-TO252-3. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Используется технология OptiMOS™ P3.

Комплектация

В комплекте поставляется 20 шт. транзисторов.