Транзистор N-MOSFET Infineon IPD040N03LGATMA1, 30В, 79А, 94Вт, PG-TO252-3 (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPD040N03LGATMA1. Это полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа в корпусе PG-TO252-3. В комплекте поставляется 20 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
• Максимально допустимый ток стока: 79 А
• Максимальная мощность рассеивания: 94 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 4 мОм
• Корпус: PG-TO252-3
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 30 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимально допустимый ток стока составляет 79 А. Максимальная мощность рассеивания — 94 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 4 мОм.

Конструкция и монтаж

Транзистор изготовлен по технологии OptiMOS™ 3. Корпус PG-TO252-3 предполагает поверхностный монтаж (SMD). Полярность транзистора — униполярная, тип канала — обогащенный.