Транзистор N-MOSFET Infineon IPD031N06L3GATMA1, 60В, 100А, 167Вт (набор 10 шт.)
2 600 ₴
- В наличии
- Код: TM203406
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD031N06L3GATMA1, 60В, 100А, 167Вт (набор 10 шт.)В наличии
2 600 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPD031N06L3GATMA1. Это полевой транзистор с каналом типа обогащения (N-канальный), предназначенный для поверхностного монтажа.
- Тип транзистора: N-MOSFET (полевой, обогащенный канал)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
- Максимально допустимый ток стока: 100 А
- Максимальная мощность рассеивания: 167 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 3.1 мОм
- Корпус: PG-TO252-3, монтаж поверхностный
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и максимальный ток стока 100 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 167 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 3.1 мОм.
Конструкция и монтаж
Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ 3 и имеет корпус PG-TO252-3. Тип монтажа — поверхностный (SMD).
Комплектация
В наборе поставляется 10 шт. транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 167 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 100 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3.1 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 600 ₴