Транзистор N-MOSFET Infineon IPB60R180C7ATMA1, 600 В, 8 А, D2PAK (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET бренда Infineon Technologies, модель IPB60R180C7ATMA1. Это полевой транзистор с напряжением сток-исток 600 В и током стока 8 А в корпусе D2PAK.

• Тип: N-MOSFET, полевой транзистор
• Напряжение сток-исток: 600 В
• Ток стока: 8 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 180 мОм
• Мощность рассеивания: 68 Вт
• Корпус: D2PAK, монтаж поверхностный
• Технология: CoolMOS™ C7
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 600 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный ток стока равен 8 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 180 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 68 Вт.

Конструкция и монтаж

Транзистор изготовлен по технологии CoolMOS™ C7. Корпус — D2PAK. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Канал транзистора — встроенный (wzbogacany), полярность — униполярная. Заряд затвора — 24 нКл.

Технические особенности канала и заряда затвора

В наборе 10 транзисторов.