Транзистор N-MOSFET Infineon IPB107N20NAATMA1, 200 В, 88 А, 300 Вт (PG-TO263-3), 5 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IPB107N20NAATMA1 — это полевой транзистор с каналом обогащения. Модель имеет максимальное напряжение сток-исток 200 В и ток стока 88 А, что определяет его мощность рассеивания 300 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой, канал обогащения)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 В
• Максимально допустимый ток стока: 88 А
• Максимальная мощность рассеивания: 300 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 10.7 мОм
• Корпус: PG-TO263-3, монтаж поверхностный
• Количество в комплекте: 5 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 200 В и напряжением затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока составляет 88 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 10.7 мОм. Эти характеристики определяют рабочие границы компонента в электрической цепи.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе PG-TO263-3 с использованием технологии OptiMOS™ 3. Тип монтажа — поверхностный (SMD), что предполагает размещение на плате без вывода через отверстия. Транзистор является униполярным и относится к типу полевых транзисторов.

Комплектация

В наборе поставляется 5 шт. транзисторов.