Транзистор N-MOSFET Infineon IPB037N06N3GATMA1, 60В, 90А, 188Вт (набор 20 шт.)
3 100 ₴
- В наличии
- Код: TM203403
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB037N06N3GATMA1, 60В, 90А, 188Вт (набор 20 шт.)В наличии
3 100 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPB037N06N3GATMA1. Это полевой транзистор с каналом обогащения, рассчитанный на максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 90 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET (полевой, канал обогащения)
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Максимальный ток стока: 90 А
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 3.7 мОм
- Корпус: PG-TO263-3, монтаж поверхностный
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 60 В и напряжением затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока составляет 90 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 3.7 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 188 Вт.
Конструкция и монтаж
Компонент изготовлен по технологии OptiMOS™ 3 в корпусе PG-TO263-3. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Транзистор является униполярным с каналом обогащения.
Комплектация транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 188 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 90 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3.7 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 3 100 ₴