Транзистор N-MOSFET Infineon IPB029N06N3GATMA1, 60В, 120А, 188Вт (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPB029N06N3GATMA1 — это полевой транзистор с каналом обогащения. Модель имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 120 А, что определяет его мощность в 188 Вт.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 120 А
• Максимальная мощность рассеивания: 188 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 2.9 мОм
• Корпус: PG-TO263-3
• Количество в наборе: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 60 В и напряжением затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока составляет 120 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 2.9 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 188 Вт.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе PG-TO263-3 с использованием технологии OptiMOS™ 3. Тип монтажа — поверхностный. Канал транзистора — обогащенный (enhancement mode), полярность — униполярная.

Комплектация

В наборе поставляется 10 транзисторов. Количество в комплекте указано как 10 шт.