Транзистор N-MOSFET Infineon IPB025N10N3GATMA1, 100В, 180А, 300Вт, PG-TO263-7 (5 шт.)
2 650 ₴
- В наличии
- Код: TM203401
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB025N10N3GATMA1, 100В, 180А, 300Вт, PG-TO263-7 (5 шт.)В наличии
2 650 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPB025N10N3GATMA1. Это полевой транзистор с каналом типа N, предназначенный для поверхностного монтажа. В комплекте 5 штук.
- Тип транзистора: Полевой
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
- Максимально допустимый ток стока: 180 А
- Максимальная мощность рассеивания: 300 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 2.5 мОм
- Корпус: PG-TO263-7
- Количество в комплекте: 5 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 100 В, а максимально допустимый ток стока — 180 А. Максимальная мощность рассеивания равна 300 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 2.5 мОм.
Конструкция и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе PG-TO263-7. Тип монтажа — поверхностный. Технология изготовления — OptiMOS™ 3.
Комплектация
В наборе 5 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 300 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 180 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | PG-TO263-7 |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 650 ₴