Транзистор N-MOSFET Infineon IPA80R1K4P7XKSA1, 800 В, 2,7 А, 24 Вт (TO220FP, 20 шт.)
3 090 ₴
- В наличии
- Код: TM203398
Транзистор N-MOSFET Infineon IPA80R1K4P7XKSA1, 800 В, 2,7 А, 24 Вт (TO220FP, 20 шт.)В наличии
3 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPA80R1K4P7XKSA1. Это полевой транзистор с технологией CoolMOS™ P7 в корпусе TO220FP, рассчитанный на максимальное напряжение 800 В и ток 2,7 А.
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 В
- Ток стока: 2,7 А (импульсный 8,9 А)
- Мощность рассеивания: 24 Вт
- Технология: CoolMOS™ P7
- Корпус: TO220FP, штыревой монтаж
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 800 В и напряжением затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока составляет 2,7 А, а импульсный ток — 8,9 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 1400 мОм.
Мощность и конструкция
Максимальная мощность рассеивания составляет 24 Вт. Транзистор изготовлен по технологии CoolMOS™ P7 и имеет версию ESD. Корпус TO220FP обеспечивает штыревой тип монтажа.
В комплекте поставляется 20 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 24 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1400 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | CoolMOS™ P7 |
Информация для заказа
- Цена: 3 090 ₴