Транзистор N-MOSFET Infineon IPA65R280E6XKSA1, 650 В, 13.8 А, TO220FP (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET от бренда Infineon Technologies, модель IPA65R280E6XKSA1. Это полевой транзистор с каналом обогащения, работающий с напряжением сток-исток до 650 В и током стока до 13.8 А.

• Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 В
• Максимально допустимый ток стока: 13.8 А
• Максимальная мощность рассеивания: 32 Вт
• Корпус: TO220FP
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 650 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный ток стока равен 13.8 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 280 mOm. Максимальная мощность рассеивания — 32 Вт.

Конструкция и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе TO220FP. Тип монтажа — выводной. Используется технология CoolMOS™.

Полярность и канал транзистора

Транзистор имеет канал обогащения и является униполярным. Это определяет его поведение как полевого транзистора с соответствующим типом управления каналом. В комплекте 10 шт.