Транзистор N-MOSFET SiC Infineon IMZA65R048M1HXKSA1, 650 В, 24 А, 125 Вт (3 шт.)
2 230 ₴
- В наличии
- Код: TM203373
Транзистор N-MOSFET на основе карбида кремния (SiC) от бренда Infineon Technologies. Модель IMZA65R048M1HXKSA1 характеризуется напряжением сток-исток 650 В и током стока 24 А. В комплекте поставляется 3 единицы компонента.
- Напряжение сток-исток: 650 В
- Ток стока: 24 А
- Мощность рассеивания: 125 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 63 мОм
- Корпус: TO247-4
- Количество в наборе: 3 шт.
Электрические параметры
Максимальное напряжение сток-исток составляет 650 В, что определяет рабочий диапазон транзистора. Максимально допустимый ток стока равен 24 А, а пиковый ток в импульсном режиме — 100 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) зафиксировано на уровне 63 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 125 Вт.
Конструкция и монтаж
Компонент изготовлен по технологии CoolSiC™ и имеет корпус TO247-4. Тип монтажа — выводной. Транзистор является полевым, с каналом обогащения и униполярной поляризацией. Корпус оснащен выводом Кельвина.
Комплектация
В наборе находится 3 транзистора. Количество в комплекте указано как 3 шт.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 125 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 23 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 24 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 63 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO247-4 |
| Технология | CoolSiC™, SiC |
- Цена: 2 230 ₴