Транзистор IGBT Infineon IKW25N120H3FKSA1, 1200 В, 50 А, TO247-3 (набор 5 шт.)
2 500 ₴
- В наличии
- Код: TM203354
Транзистор IGBT производства Infineon Technologies, модель IKW25N120H3FKSA1. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 1200 В, максимально допустимый ток коллектора — 50 А. В комплекте поставляется 5 единиц.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимальное напряжение: 1200 В
- Ток коллектора: 50 А
- Мощность рассеивания: 326 Вт
- Корпус: TO247-3
- Количество в комплекте: 5 шт.
Электрические параметры
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 1200 В, что определяет класс напряжения компонента. Максимально допустимый ток коллектора — 50 А. Максимальная мощность рассеивания равна 326 Вт. Заряд затвора — 115 нКл.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO247-3. Тип монтажа — в отверстия печатной платы (THT). Технология изготовления — TRENCHSTOP™ 3. Интегрированный антипараллельный диод (integrated anti-parallel diode) является частью структуры транзистора. Напряжение затвор-эмиттер (Напряжение затвор - эмиттер) — ±20 В.
Комплектация
В наборе 5 транзисторов.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 326 Вт |
| Максимально допустимый ток коллектора | 50 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Технология | TRENCHSTOP™ 3 |
- Цена: 2 500 ₴