Транзистор GeneSiC G3R350MT12D, N-MOSFET SiC, 1200 В, 8 А, 74 Вт (набор 10 шт.)

Транзистор GeneSiC G3R350MT12D — это полевой N-MOSFET на основе карбида кремния (SiC) с технологией G3R™. Устройство имеет максимальное напряжение затвор-исток 15 В, ток стока 8 А и рассеивает мощность до 74 Вт. В комплект поставки входят 10 единиц в корпусе TO247-3. Импульсный ток стока составляет 16 А, а заряд затвора — 12 нКл.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET на SiC
• Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 В
• Максимально допустимый ток стока: 8 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 350 мОм
• Максимальная мощность рассеивания: 74 Вт
• Корпус: TO247-3, монтаж выводной
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением затвор-исток 15 В и выдерживает постоянный ток стока 8 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 350 мОм, что определяет его проводимость при открытом канале. Максимальная мощность рассеивания равна 74 Вт, что указывает на тепловой режим работы компонента.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO247-3. Тип монтажа — выводной (THT), предполагающий установку в отверстия печатной платы. Канал транзистора является обогащенного типа, а полярность — униполярной.

Дополнительные параметры и комплектация

В наборе содержится 10 транзисторов GeneSiC G3R350MT12D.