Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G230P06T, -60В, -60А, TO220 (30 шт.)
2 610 ₴
- В наличии
- Код: TM202906
Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G230P06T, -60В, -60А, TO220 (30 шт.)В наличии
2 610 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G230P06T — полевой транзистор с каналом обогащения и технологией Trench. Комплект состоит из 30 единиц в корпусе TO220.
- Тип транзистора: Полевой (P-MOSFET)
- Максимальная мощность рассеивания: 115 Вт
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
- Корпус: TO220
- Тип монтажа: Выводной
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Максимальное напряжение затвор-исток составляет 20 В, а максимальная мощность рассеивания — 115 Вт. Согласно данным производителя, устройство рассчитано на ток -60 А и напряжение -60 В. Поляризация транзистора — униполярная.
Конструкция и монтаж
Тип монтажа — выводной (THT). Корпус TO220 обеспечивает стандартное крепление для радиоэлементов. Технология изготовления — Trench, что влияет на характеристики ключа.
Комплектация
В наборе 30 транзисторов GOFORD SEMICONDUCTOR G230P06T.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 115 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | TO220 |
| Производитель | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Информация для заказа
- Цена: 2 610 ₴