Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G11S, -20 В, -11 А, 3,3 Вт, SOP8 (набор 30 шт.)
2 020 ₴
- В наличии
- Код: TM202884
Транзистор P-MOSFET GOFORD SEMICONDUCTOR G11S, -20 В, -11 А, 3,3 Вт, SOP8 (набор 30 шт.)В наличии
2 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Полевой транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G11S с каналом P-типа (P-MOSFET) в корпусе SOP8 для поверхностного монтажа. В наборе 30 шт.
- Тип: P-MOSFET
- Напряжение сток-исток: -20 В
- Ток стока: -11 А
- Рассеиваемая мощность: 3,3 Вт
- Корпус: SOP8
- Количество в наборе: 30 шт.
Электрические параметры
Напряжение сток-исток — -20 В, ток стока — -11 А, максимальная рассеиваемая мощность — 3,3 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 12 В. Заряд затвора — 47 нКл.
Технология
Технология изготовления — Trench. Тип канала — обогащенный (режим обогащения), полярность — униполярный транзистор.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 3.3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SOP8 |
| Производитель | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Информация для заказа
- Цена: 2 020 ₴