Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD6N40CTM, 400 В, 2,7 А, DPAK (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQD6N40CTM — это полевой транзистор с каналом типа n. Модель выполнена в корпусе DPAK и имеет максимальное напряжение сток-исток 400 В.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 В
• Максимально допустимый ток стока: 2,7 А
• Максимальная мощность рассеивания: 48 Вт
• Корпус: DPAK, монтаж поверхностный
• Количество в наборе: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 400 В и напряжением затвор-исток 30 В. Максимальный ток стока составляет 2,7 А, а мощность рассеивания — 48 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 1000 мОм.

Конструкция и монтаж

Устройство изготовлено по технологии QFET® и имеет корпус DPAK. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Канал транзистора является обогащаемым (enhancement mode).

Комплектация

В наборе поставляется 20 транзисторов ONSEMI FQD6N40CTM. Символ производителя: FQD6N40CTM. Поляризация транзистора — униполярная. Заряд затвора составляет 20 нКл.