Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD3P50TM, -500 В, -1,33 А, 50 Вт, DPAK (набор 20 шт.)
3 600 ₴
- В наличии
- Код: TM202863
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD3P50TM, -500 В, -1,33 А, 50 Вт, DPAK (набор 20 шт.)В наличии
3 600 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD3P50TM в корпусе DPAK — полевой (униполярный) транзистор с каналом P-типа. В наборе 20 шт.
- Напряжение: -500 В
- Ток: -1,33 А
- Рассеиваемая мощность: 50 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 4900 мОм
- Корпус: DPAK
- Количество в наборе: 20 шт.
Электрические параметры
Напряжение — -500 В, ток — -1,33 А, максимальная рассеиваемая мощность — 50 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 30 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 4900 мОм. Заряд затвора — 23 нКл.
Конструкция и технология
Тип монтажа — поверхностный. Тип канала — обогащаемый. Технология — QFET®.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 50 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4900 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | QFET® |
Информация для заказа
- Цена: 3 600 ₴