Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQD17P06TM, DPAK, 25 В (набор 20 шт.)

P-канальный полевой транзистор ONSEMI FQD17P06TM в корпусе DPAK. Устройство имеет максимальное напряжение затвор-исток 25 В и сопротивление в открытом состоянии 135 мОм.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
• Корпус: DPAK, поверхностный монтаж
• Максимальная мощность рассеивания: 44 Вт
• Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 В
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 135 мОм
• Технология: QFET®
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор является униполярным P-MOSFET с каналом обогащения (enhancement mode). Максимальная мощность рассеивания составляет 44 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 25 В, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 135 мОм.

Конструкция и монтаж

Компонент изготовлен по технологии QFET® и имеет корпус DPAK. Тип монтажа — поверхностный (SMT). Общий заряд затвора составляет 27 нКл.

Комплектация

В наборе 20 шт. Транзистор предназначен для поверхностного монтажа (SMT) на печатные платы. Корпус DPAK. Технология QFET® определяет структуру устройства. Канал обогащения (enhancement mode).