Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQB34P10TM, -100 В, -23,5 А, 155 Вт, D2PAK (набор 10 шт.)
2 920 ₴
- В наличии
- Код: TM202861
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQB34P10TM, -100 В, -23,5 А, 155 Вт, D2PAK (набор 10 шт.)В наличии
2 920 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQB34P10TM в корпусе D2PAK — полевой (униполярный) транзистор с каналом P-типа. В наборе 10 шт.
- Напряжение: -100 В
- Ток: -23,5 А
- Рассеиваемая мощность: 155 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 60 мОм
- Корпус: D2PAK
- Количество в наборе: 10 шт.
Электрические параметры
Напряжение — -100 В, ток — -23,5 А, максимальная рассеиваемая мощность — 155 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 25 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 60 мОм. Заряд затвора — 110 нКл.
Конструкция и технология
Тип монтажа — поверхностный. Тип канала — обогащаемый. Технология — QFET®.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 155 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 60 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | QFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 920 ₴