Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQB27P06TM, -60 В, -19,1 А, 120 Вт, D2PAK (набор 10 шт.)
2 500 ₴
- В наличии
- Код: TM202860
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQB27P06TM, -60 В, -19,1 А, 120 Вт, D2PAK (набор 10 шт.)В наличии
2 500 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FQB27P06TM в корпусе D2PAK — полевой (униполярный) транзистор с каналом P-типа. В наборе 10 шт.
- Напряжение: -60 В
- Ток: -19,1 А
- Рассеиваемая мощность: 120 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 70 мОм
- Корпус: D2PAK
- Количество в наборе: 10 шт.
Электрические параметры
Напряжение — -60 В, ток — -19,1 А, максимальная рассеиваемая мощность — 120 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 25 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 70 мОм. Заряд затвора — 43 нКл.
Конструкция и технология
Тип монтажа — поверхностный. Тип канала — обогащаемый. Технология — QFET®.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 120 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 70 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | QFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 500 ₴