Транзистор ONSEMI FQB12P20TM, P-MOSFET, 120 Вт, D2PAK (набор 10 шт.)
2 500 ₴
- В наличии
- Код: TM202859
Транзистор ONSEMI FQB12P20TM, P-MOSFET, 120 Вт, D2PAK (набор 10 шт.)В наличии
2 500 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
P-канальный полевой транзистор ONSEMI FQB12P20TM в корпусе D2PAK. Устройство имеет максимальное напряжение затвор-исток 30 В и рассеивает мощность до 120 Вт.
- Тип транзистора: P-MOSFET (полевой)
- Максимальная мощность рассеивания: 120 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 470 мОм
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 В
- Корпус: D2PAK, монтаж поверхностный
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор является униполярным P-MOSFET с сопротивлением открытого состояния 470 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 30 В. Прибор рассеивает мощность до 120 Вт.
Конструкция и монтаж
Компонент изготовлен по технологии QFET® в корпусе D2PAK. Тип монтажа — поверхностный.
Комплектация
В наборе поставляется 10 шт. транзисторов. Канал транзистора — обогащенный. Поляризация — униполярная. Заряд затвора составляет 40 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 120 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 470 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | QFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 500 ₴