Транзистор IGBT ONSEMI FGH60N60SMD, 600 В, 60 А, 300 Вт, TO247-3 (набор 5 шт.)
3 020 ₴
- В наличии
- Код: TM202825
Транзистор IGBT ONSEMI FGH60N60SMD, 600 В, 60 А, 300 Вт, TO247-3 (набор 5 шт.)В наличии
3 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор IGBT ONSEMI FGH60N60SMD в корпусе TO247-3 для монтажа в отверстия. Основные параметры по наименованию: 600 В, 60 А, 300 Вт. В наборе 5 шт.
- Тип транзистора: IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Ток: 60 А
- Мощность рассеивания: 300 Вт
- Корпус: TO247-3, монтаж в отверстия
- Количество в наборе: 5 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 600 В. Максимальная мощность рассеивания — 300 Вт.
Напряжение затвор-эмиттер — ±20 В, заряд затвора — 284 нКл. Транзистор имеет встроенный встречно-параллельный диод.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 300 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 180 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Информация для заказа
- Цена: 3 020 ₴