Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDT86113LZ, 100 В, 3,3 А, SOT223 (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDT86113LZ — полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе SOT223. Максимальное напряжение сток-исток составляет 100 В, ток стока — 3,3 А, мощность рассеивания — 2,2 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой, канал обогащения)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
• Максимально допустимый ток стока: 3,3 А
• Максимальная мощность рассеивания: 2,2 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 189 мОм
• Корпус: SOT223, поверхностный монтаж
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с максимальным напряжением сток-исток 100 В и максимальным напряжением затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока равен 3,3 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 189 мОм. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 2,2 Вт.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в поверхностном монтаже (SMD) в корпусе SOT223. Тип транзистора — полевой, с каналом обогащения, что соответствует стандартной конфигурации N-MOSFET.

Комплектация и идентификация

В наборе поставляется 20 шт. транзисторов.