Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS6681Z, -30В, -20А, SO8 (набор 10 шт.)
2 610 ₴
- В наличии
- Код: TM202813
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS6681Z, -30В, -20А, SO8 (набор 10 шт.)В наличии
2 610 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
P-канальный полевой транзистор ONSEMI FDS6681Z в корпусе SO8. Имеет максимальное напряжение -30 В и ток -20 А.
- Тип транзистора: P-MOSFET (полевой)
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 В
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 6,5 мОм
- Максимальная мощность рассеивания: 2,5 Вт
- Корпус: SO8, тип монтажа: поверхностный
- Количество в комплекте: 10 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение затвор-исток 25 В и сопротивление в открытом состоянии 6,5 мОм. Максимальная мощность рассеивания составляет 2,5 Вт. Заряд затвора равен 260 нКл.
Конструкция и монтаж
Компонент изготовлен по технологии PowerTrench® в поверхностном корпусе SO8. Канал транзистора — обогащенного типа (enhancement mode).
Комплектация
В наборе 10 шт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 6.5 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 610 ₴