Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS6675BZ, -30 В, -11 А, 2,5 Вт, SO8 (набор 20 шт.)
2 310 ₴
- В наличии
- Код: TM202812
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS6675BZ, -30 В, -11 А, 2,5 Вт, SO8 (набор 20 шт.)В наличии
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Полевой транзистор P-MOSFET ONSEMI FDS6675BZ в корпусе SO8, технология PowerTrench®. Основные параметры — -30 В и -11 А, максимальная мощность рассеивания — 2,5 Вт. В наборе 20 шт.
- Тип: P-MOSFET, униполярный
- Параметры: -30 В, -11 А
- Мощность рассеивания: 2,5 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 21,8 мОм
- Корпус: SO8
- Количество в наборе: 20 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 25 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 21,8 мОм, заряд затвора — 35 нКл.
Конструкция
Тип монтажа — поверхностный. Полярность — униполярный, режим канала — обогащение.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 21.8 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 310 ₴