Транзистор ONSEMI FDS6673BZ, P-MOSFET, SO8, комплект 20 шт.
2 490 ₴
- В наличии
- Код: TM202811
Транзистор ONSEMI FDS6673BZ, P-MOSFET, SO8, комплект 20 шт.В наличии
2 490 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI FDS6673BZ — это полевой транзистор типа P-MOSFET в корпусе SO8. В комплекте поставляется 20 штук.
- Тип транзистора: Полевой (P-MOSFET)
- Корпус: SO8, поверхностный монтаж
- Максимальная мощность: 2,5 Вт
- Напряжение затвор-исток: 25 В
- Сопротивление в открытом состоянии: 12 мОм
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Максимальная мощность рассеивания составляет 2,5 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 25 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 12 мОм.
Конструкция и монтаж
Изделие выполнено для поверхностного монтажа (SMD). Корпус — SO8. Используется технология PowerTrench®.
Комплектация
В наборе 20 транзисторов ONSEMI FDS6673BZ.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 12 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 490 ₴